圖1中，無(wú)線電波能夠傳播的GaN HEMT功率放大器的一些輸入功率會(huì)轉(zhuǎn)化成熱量，然后分散到SiC沉底。碳化硅由于提高雷達(dá)和無(wú)線通信的射程和功率也增加了器件產(chǎn)生的熱量，這對(duì)其性能和可靠性產(chǎn)生不利影。

　　使用這種技術(shù)散熱可以高效率地冷卻高功率氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)，從而使功率放大器在高功率水平下穩(wěn)定工作。

　　近年來(lái)，高頻GaN-HEMT功率放大器已被廣泛用于雷達(dá)和無(wú)線通信等遠(yuǎn)程無(wú)線電領(lǐng)域，距離將增大，碳化硅預(yù)計(jì)還將用于天氣雷達(dá)觀測(cè)局部暴雨，或者即將出現(xiàn)的5G毫米波段移動(dòng)通信協(xié)議。對(duì)于這些使用微波到毫米波頻段雷達(dá)或無(wú)線通信系統(tǒng)，碳化硅碳化硅通過(guò)提高用于傳輸?shù)腉aN-HEMT功率放大器的輸出功率，無(wú)線電波能夠傳播的距離將增大，可擴(kuò)展雷達(dá)觀測(cè)范圍，實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)和更高容量的通信。

　　12月6日至9日美國(guó)加利福尼亞州的IEEE半導(dǎo)體接口專家會(huì)議(SISC2017)上，日本富士通及其子富士通實(shí)驗(yàn)室(Fujitsu Laboratories Ltd)介紹了據(jù)稱是第一個(gè)室溫下實(shí)現(xiàn)單晶金剛石和碳化硅(SiC)襯底焊接，關(guān)鍵是這兩者都是硬質(zhì)材料，但具有不同的熱膨脹系數(shù)。