近日科技部高新司在組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)”項目驗收會。通過項目的實施，我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破。

　　中國開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平較低，阻礙國內(nèi)第三代半導(dǎo)體研究進展的重要因素是原始創(chuàng)新問題。隨著國家對第三代半導(dǎo)體材料的重視，近年來，我國半導(dǎo)體材料市場發(fā)展迅速。其中以碳化硅與氮化鎵為主的材料備受關(guān)注。我們認(rèn)為，該項目取得的進展，顯示出我國在半導(dǎo)體前沿材料的研究方面取得了突破進展，有助于支撐我國在節(jié)能減排、現(xiàn)代信息工程、現(xiàn)代國防建設(shè)上的重大需求。

　　近年來，國家和各地方政府陸續(xù)推出政策和產(chǎn)業(yè)扶持基金發(fā)展第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)：地方政策在2016年大量出臺，、、、、等27個地區(qū)出臺第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策(不包括LED)近30條。

　　考慮到當(dāng)前國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基本上進入了國家主導(dǎo)的投資階段，2014年大基金的成立開啟了一輪國內(nèi)投資半導(dǎo)體的熱潮，第三代半導(dǎo)體取得技術(shù)突破無論是政府資金，還是產(chǎn)業(yè)資本都紛紛進入這個領(lǐng)域。碳化硅與氮化鎵為主的材料隨著碳化硅和氮化鎵材料研發(fā)取得進展，我們預(yù)期，第二期大基金的布局焦點應(yīng)該會向上游的原材料和設(shè)備傾斜更多的資源，

　　國內(nèi)企業(yè)方面，在LED芯片領(lǐng)域已有深厚積累的三安光電(600703.SH)，在第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)投入達到了330億元。我們認(rèn)為三安光電憑借其在LED芯片整條產(chǎn)業(yè)鏈的整合優(yōu)勢和技術(shù)設(shè)備優(yōu)勢有望在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的過程中會脫穎而出，建議重點關(guān)注。除三安光電外，揚杰科技(300373.SZ)、國民技術(shù)(300077.SZ)、海特高新(002023.SZ)等多家上市公司均開始布局第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。