碳化硅很早就被認(rèn)為是在高溫和高能的電子學(xué)應(yīng)用上具有極大潛力的一種半導(dǎo)體材料，它是一種有很多種結(jié)構(gòu)的多晶態(tài)材料，主要有立方、六方和斜方等三種晶態(tài)，其化學(xué)成分都一樣。立方晶態(tài)碳化硅稱為3C-SiC，禁帶寬度為2.3eV，為硅的兩倍。目前已發(fā)現(xiàn)了多種六方和斜方晶態(tài)的SiC，最常見(jiàn)的是4H-SiC和6H-SiC的六方晶體，它們的禁帶寬度比3C-SiC高，分別為2.9eV和3.2eV。SiC可以通過(guò)摻雜來(lái)形成n型或P型材料。SiC的機(jī)械特性比硅好，彈性模量為300-700GPa，非常適合微機(jī)械諧振器和濾波器，因?yàn)殡S著彈性模量的增大，其諧振頻率也相應(yīng)提高。
碳化硅薄膜可用多種不同的技術(shù)生長(zhǎng)或淀積而成。高質(zhì)量的單晶碳化硅薄膜一般采用APCVD或LPCVD，使用兩種源氣體SiH₄和C3H8，在具有同樣晶體類型的襯底上均向外延生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)的需要。外延薄膜通過(guò)摻雜調(diào)整為P或n型使其具有導(dǎo)電性，P型摻雜的SiC的生長(zhǎng)實(shí)際上是不存在的，因?yàn)樵诘矸e系統(tǒng)里殘余的氮濃度非常高。