碳化硅SiC和氮化硅Si3N4，二者都有共價的三維晶格結構，它們能以a和B兩種結晶態(tài)存在。它們因為有這種結構，都是很堅硬的物質，在很高的溫度下也是穩(wěn)定的，氮化硅是電的優(yōu)良絕緣體，而碳化硅晶格有能量較低的導帶(在298K的能隙是2.86eV),使它有半導體性質。

　　碳化硅的外觀因純度不同而變化，從幾乎無色到淡黃、綠或黑色。在自然界它只存在于亞里桑那(Arizona)隕鐵中的碳硅石里。它在1891年首先由艾奇遜(Acheson)制得，他專利了它，并成立了碳化硅公司。

　　在1670K的高溫下將碳和硅一起強熱，可以制得B型(立方體)的碳化硅。它有金剛石的晶體結構，只是其中相間的碳原子用硅原子取代,這種結構能說明它有較高硬度(在礬土和金剛石之間),使它廣泛用作磨料。碳化硅有很大的化學價性，對氧化和熱震動都穩(wěn)定。B型碳化硅對熱穩(wěn)定直到2400K,這時它變成a碳化硅。它跟B型碳化硅有很相似的晶格結構和性質。但有相同晶胞的不同堆砌順序。a型碳化硅在2670K時還是穩(wěn)定的，溫度再高，就分解成元素。